2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议将于2025年9月19-21日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！

【会议亮点】

双一流&211重点大学江南大学主办、地方学会支持

IEEE Fellow、高校校长/院长入驻主席团 | IEEE独立出版，EI/Scopus检索

7月29日前投稿并完成录用，投稿前联系大会严秘书领取早鸟优惠券链接即可获得专属早鸟优惠！

大会官网：www.asdit.org 【查看详情】

时间地点：2025年9月19-21日；中国·江苏无锡

截稿时间：以官网为准

论文检索：EI, IEEE, Scopus

主办单位：江南大学

协办单位：江南大学集成电路学院、江南大学理学院、无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室

支持单位：无锡市集成电路学会

【大会组委】

大会主席

敖金平教授，江南大学，IEEE高级会员

顾晓峰教授，江南大学，集成电路学院院长

杨国锋教授，江南大学，理学院院长，IEEE会员

技术程序委员会主席

余建军教授，复旦大学，IEEE Fellow

徐骏教授，南通大学，副校长

刘学峰教授，南京理工大学，IEEE高级会员

李杨副教授，江南大学

出版主席

姜岩峰教授，江南大学，IEEE高级会员

刘璋成副教授，江南大学

陈辉副教授，南京航空航天大学，IEEE会员

寇君龙副教授，南京大学，IEEE会员

当地委员会主席

王霄副教授，江南大学，IEEE会员

周久人教授，西安电子科技大学，IEEE Member

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【征稿主题】

半导体器件：新型半导体材料及其在器件中的应用、高性能MOSFET设计与优化、能耗效率优化的功率器件技术、超越硅的III-V族化合物半导体器件、微光电半导体传感器及其应用、半导体激光器及其新兴应用领域、石墨烯和其他二维材料器件、量子点和量子阱半导体器件、新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM、低温电子器件的挑战与机遇、高频和高功率器件的突破性技术、硅基光电子器件及其集成技术、隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究、半导体器件的可靠性与老化机制、先进封装和互连结构对器件性能的影响；

集成技术：三维集成电路及其制造工艺、片上系统(SoC)与集成方法、芯片异构集成技术、封装级集成技术的发展与创新、集成电路中的热管理技术、射频集成电路及其设计优化、人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用、先进模拟与混合信号集成电路、电源管理集成电路技术、集成电路设计中的可靠性与安全挑战、硅光子学互连技术、超大规模集成技术的最新进展、新兴存储器集成技术、模块化MEMS与NEMS的集成应用、智能传感系统的集成与创新。

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【Submit to the Conference | EI会议论文】

文章先经2-3位专家盲审，录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)出版，见刊后提交至IEEE Xplore、EI Compendex, Scopus检索。 

1、论文模板请于系统【会议资料】处下载。

2、论文必须是英文稿件，且论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。发表论文的作者需提交全文进行同行评审，只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。如需中→英翻译，请将稿件投至【艾思编译】平台进行翻译； 

3、作者可通过【iThenticate查重】，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版，且公布在会议主页。

4、投稿后请主动添加会议老师微信，方便及时跟进论文状态及后续出版的相关事宜等。

早鸟投稿：7月29日前完成投稿录用工作，可联系会议秘书领取早鸟优惠~

【参会方式】

1、作者参会：录用文章需要派至少一位作者免费参会并进行现场口头报告；

2、口头演讲：申请口头报告，时间为10分钟；

3、海报展示：申请海报展示，A1尺寸；

4、听众参会：不投稿仅参会，也可申请演讲及展示。